产品・服务
真茂佳 ZMJ SEMI
深圳真茂佳半导体有限公司是一家拥有自主知识产权，且掌握先进功率器件设计和封测特色工艺的高新技术企业。公司顺应新能源汽车电子电气化架构和车规级功率半导体技术的发展，在真茂佳车规九大中低压电压平台衍生的不同封装形式和诸多应用领域成功案例的加持下，将持续打造值得客户信赖的高可靠性“ZMJ”中低压车规MOSFET产品系列解决方案。
目前客户群体已覆盖20+OEM汽车品牌，累计出货量达亿颗级别，产品种类包含250+车规MOSFET，成为全球Top级的车规中低压车规MOSFET方案提供商，也是国内量产车规MOSFET种类最多且连续出货时间最长的中国品牌。公司在工业、消费类和PC类有将近千种低中高压系列产品，涵盖多种封装形式，性能达到世界一流水平。公司在国内建有车规级和工规的应用实验室、可靠性实验室且通过CNAS认证，持续为各类客户的工程应用和市场需求提供支持。
真茂佳 ZMJ Semi产品系列
・MOSFET
1.车规类MOSFET：主要包含RobustFETTM，SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-100V~200V，具有高可靠性及出色的性能，内阻最低达到0.4mΩ，其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高，低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，250多款车规产品，主要应用于热管理 (引擎冷却风扇 & 水泵 & 油泵)，传统动力系统，底盘 (EPS & i-Boost & ESC & One-Box)，电动化 (逆变器 & DC-DC & OBC)，车身电子，网联化(T-box等)，智能驾驶&智能座舱，BMS启停等。
2.工业消费类MOSFET：多个系列N-Channel和P-Channel 的产品，从-100V~150V击穿电压和 0.4mΩ~ 500mΩ内阻范围都有覆盖，超过20多种封装形式，700个以上的型号，在开关电源，电机驱动，电池保护等领域有成熟的应用，具有高效率，高功率密度和封装小型化，低EMI等优点。
・IGBT（工业&汽车）：650V / 750V / 1200V击穿电压,电流30A~200A,有单管和模块等封装形式的IGBT产品。
・SiC：具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点，被称为第三代半导体材料。主要开发650V/1200V/1700V/3300V电压的产品。
・GaN：主要开发650V, 100V~200V 电压的产品。产品应用在开关电源，快充，DC/DC转换OBC等领域。
应用领域
汽车电子（智能底盘，车身电子，照明系统，智能驾驶和智能座舱等），能源与电源，消费电子，工业
品质认证
ISO9001, ISO14001, ISO17025 CNAS, IATF16949（代工厂）等
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